Rambus和微软合作研发低温内存

    Rambus Inc.（RMBS）今天宣布扩大与微软研究人员的合作，开发优化低温记忆性能的原型系统。在2015年12月宣布的初步合作之后，这项新协议共同努力，增强记忆能力，降低能耗，提高整体系统性能。
    由美国国家标准技术研究所定义的低于-180°C或-292.00°F或93.15 K的公司开发的技术将提高内存和低温逻辑运行的能源效率，是高性能的理想选择超级计算机和量子计算机。
  “随着传统方法对提高内存容量和电源效率的日益增长的挑战，我们早期的研究表明，使用低温技术的DRAM的工作温度的重大变化可能在未来的内存系统中变得至关重要，”副总裁Gary Bronner博士说。 “我们与微软的战略合作伙伴关系使我们能够发现新的架构模型，因为我们力求开发利用低温记忆体的系统。这种合作的扩展将导致高性能超级计算机（HPC）和量子计算机的新应用。

    微软研究机构合作伙伴架构师Doug Carmean说：“我们很高兴继续与Rambus合作，扩大合作关系，进一步开发低温记忆优化技术。 “Rambus在内存系统方面的专业知识帮助我们识别出新的内存架构，以满足未来的需求。

关于RAMBUS:

    RAMBUS Inc创立于1990年，公司创建之初便致力于高端存储产品的研究与开发，由于其在内存技术上的先进性，很快成为了Intel下一代高性能处理器的主存平台。那么什么是RAMBUS内存呢？简单的说RAMBUS内存就是一种高性能、芯片对芯片接口技术的新一代存储产品，它使得新一代的处理器可以发挥出最佳的功能。RAMBUS Inc宣称这种新的技术能够提供十倍于普通DRAM和三倍于PC100 SDRAM的性能，单根的RAMBUS DRAM，即RDRAM，在16位的数据传输通道上速度可高达800MHz。
    RAMBUS内存的发展历经了三个主要阶段，第一代和第二代产品称为"Base RAMBUS"和"Concurrent RAMBUS"，这一阶段的内存速度已达到600MHz的数据传输速率，被用于一些娱乐设施(如SONY PS2)，高端图形工作站以及一些高性能的显卡等。第三代产品称为Direct RAMBUS，其存储模块被简称为RIMM(RamBus In-line Memory Module)。目前主要被用于一些高性能个人电脑、图形工作站、服务器和其它一些对带宽和时间延迟要求更高的设备。在2000年晚些时候采用了RAMBUS内存的笔记本电脑有望问世。